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RTQ020N03
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RTQ020N03
Structure
Silicon N-channel MOS FET
External dimensions (Unit : mm)
TSMT6
2.9
1.0MAX
Features
1.9
0.95 0.95
0.85
0.7
1) Low On-resistance.
2) Space saving , small surface mount package (TSMT6).
(6)
(5)
(4)
0~0.1
3) Low voltage drive (2.5V drive).
(1)
(2)
(3)
1pin mark
0.4
0.16
Each lead has same dimensions
Applications
Switching
Packaging specifications
Inner circuit
Abbreviated symbol : QS
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(6)
(5)
? 2
(4)
RTQ020N03
? 1
(1) Drain
(2) Drain
(1)
(2)
(3)
(3) Gate
(4) Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) Drain
(6) Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
30
12
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Channel temperature
Range of storage temperature
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
P D ? 2
Tch
Tstg
± 2.0
± 8.0
1.0
8.0
1.25
150
? 55 to + 150
A
A
A
A
W
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth(ch-a) ?
Limits
100
Unit
° C/W
? Mounted on a ceramic board
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